星空站长网（XingkongWeb.com）7月28日消息：英特尔近日发布新闻稿，公布了未来的工艺和封装技术路线图，同时也宣布新的处理器名命方式，如英特尔7、英特尔4、英特尔3、英特尔20A等。
英特尔表示，基于FinFET晶体管优化，英特尔7与英特尔10nm SuperFin相比，每瓦性能提高了大约10%到15%。Intel7将在2021年用于客户端的 Alder Lake 和用于数据中心的 Sapphire Rapids 等产品中采用，预计将于2022年第一季度投入生产。
英特尔4完全采用 EUV 光刻技术，使用超短波长光打印令人难以置信的小特征。凭借每瓦性能约20% 的提升以及面积的改进，英特尔4将在2022年下半年投入生产，用于2023年出货的产品，包括用于客户端的 Meteor Lake 和用于数据中心的 Granite Rapids。
英特尔3利用进一步的 FinFET 优化和增加的 EUV，与英特尔4相比，每瓦性能提高了约18%，并进一步改进了面积。英特尔3将准备在2023年下半年开始制造产品。
英特尔20A凭借 RibbonFET 和 PowerVia 两项突破性技术开启了“埃”时代。RibbonFET 是英特尔实施的环栅晶体管，将成为该公司自2011年率先推出 FinFET 以来的第一个新晶体管架构。该技术可提供更快的晶体管开关速度，同时在更小的占位面积内实现与多个鳍片相同的驱动电流。PowerVia 是英特尔独特的业界首创的背面供电实施方案，通过消除晶圆正面供电布线的需要来优化信号传输。英特尔20A 预计将在2024年推出。该公司也很高兴有机会与高通合作使用其英特尔20A 工艺技术。
2025年及以后: 除了英特尔20A，英特尔18A 已经在2025年初开发，对 RibbonFET 进行改进，这将带来晶体管性能的又一次重大飞跃。英特尔还致力于定义、构建和部署下一代高 NA EUV，并有望获得业内首款生产工具。英特尔正与 ASML 密切合作，以确保这一行业突破超越当前一代 EUV 取得成功。
